據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)4月20日消息，近日，全球最大半導體代工企業(yè)臺積電（TSMC）加入日本國家項目“尖端半導體制造計劃開發(fā)”。

據(jù)悉，日本于2021年正式啟動該項目，目標是“把半導體制造技術留在日本”。項目由日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所、東電電子、佳能、TSMC日本3DIC研究開發(fā)中心、先端系統(tǒng)技術研究組合等機構參與，預計五年內提供760億日元經(jīng)費。臺積電在日本的研究基地“TSMC日本3DIC研發(fā)中心”計劃與日本共同開發(fā)半導體制造中的三維后工序技術“3DIC”。

據(jù)悉，該項目是日本新能源產(chǎn)業(yè)技術綜合開發(fā)機構（NEDO）從2019年度開始推進的部分業(yè)務。項目以擁有最先進潔凈室的產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所為基地，該研究所位于茨城縣筑波市，企業(yè)和大學在這里研發(fā)邏輯半導體的制造技術。

半導體制造工藝分為“前工序”和“后工序”，前者是指在硅基板上使用曝光設備等形成電路的工序，后者是指分割后進行組裝的工序。該項目也按照這兩種工序設定了研究課題，二者共同的關鍵詞是“三維（3D）”。

具體來看，前工序方面，該項目致力于開發(fā)被稱為“納米片”的最先進元器件技術，有消息認為2025年以后3D納米片型將成為主流。后工序方面，該項目將確立縱向堆疊電路的技術。需要注意的是，三維集成化是打破“摩爾定律”極限的有力技術。先進封裝近來受到較大關注，尤其是硅通孔技術，3D集成將縱向堆疊芯片，利用晶圓級封裝和硅通孔等先進封裝技術，以達到提高性能的目的。